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GeneSiC Semiconductor MSRT250120(A)
| Artikelnummer: | MSRT250120(A) |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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GeneSiC Semiconductor MSRT250120(A) Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments MSRT250120(A).Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.2V @ 250A Spannung - Sperr (Vr) (max) 1200V Supplier Device-Gehäuse Three Tower Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Serie - Verpackung Bulk Verpackung / Gehäuse Three Tower Andere Namen MSRT250120(A)GN
MSRT250120ABetriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Chassis Mount Produkteigenschaften Eigenschaften Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Hersteller Standard Vorlaufzeit 10 Weeks Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Diodentyp Standard Diodenkonfiguration 1 Pair Common Cathode detaillierte Beschreibung Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V 250A (DC) Chassis Mount Three Tower Strom - Sperrleckstrom @ Vr 15µA @ 600V Strom - Richt (Io) (pro Diode) 250A (DC) MSRT250120(A) Einzelheiten PDF [English] MSRT250120(A) PDF - EN.pdf -
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